Um avanço tecnológico promissor acaba de sair dos laboratórios da Universidade de Fudan, em Xangai. Pesquisadores liderados pelo professor Zhou Peng desenvolveram a primeira memória Flash do mundo capaz de escrever dados em apenas 400 picossegundos — tempo equivalente a um trilionésimo de segundo.
Trata-se de uma inovação sem precedentes no setor de armazenamento digital, com potencial para transformar o desempenho de dispositivos e sistemas que exigem resposta em tempo real.
Comparativo de velocidade de escrita das memórias atuais vs. PoX (Fudan University)
| Tecnologia de Memória | Tipo | Volátil? | Tempo Médio de Escrita | Velocidade Comparada à PoX |
|---|---|---|---|---|
| PoX (Fudan University) | Flash (nova geração) | Não | 400 picosegundos (0,0004 ns) | — |
| SRAM (Static RAM) | RAM | Sim | 1–2 nanosegundos | ~2.500x mais lenta |
| DRAM (Dynamic RAM) | RAM | Sim | 10–20 nanosegundos | ~25.000x mais lenta |
| SSD com NAND Flash | Flash tradicional | Não | 10–100 microsegundos | ~25.000.000x mais lenta |
| Pendrive / USB comum | Flash tradicional | Não | 0,5–2 milissegundos | ~1 bilhão de vezes mais lenta |
| Disco Rígido (HDD) | Magnético | Não | 5–15 milissegundos | ~37 bilhões de vezes mais lenta |
Afinal, o que é um picossegundo?
Um picossegundo (ps) equivale a um trilionésimo de segundo ou 0,000000000001 segundos (10⁻¹² s). Trata-se de uma escala de tempo tão minúscula que ações humanas comuns ou mesmo processos eletrônicos rápidos parecem extremamente lentos em comparação.
Para entender melhor o quão impressionante é alcançar uma velocidade de escrita de 400 picossegundos, veja a tabela abaixo comparando o picossegundo com outras escalas de tempo que usamos em ciência e no cotidiano:
Tabela comparativa de escalas de tempo
| Unidade de Tempo | Símbolo | Equivalência em Segundos | Exemplo de Ocorrência |
|---|---|---|---|
| 1 segundo | s | 1 | Batida do coração humano |
| 1 milissegundo | ms | 0,001 | Ping em rede local com cabo |
| 1 microssegundo | µs | 0,000001 | Tempo de acesso de memórias NAND |
| 1 nanossegundo | ns | 0,000000001 | Sinal eletrônico em CPUs modernas |
| 1 picossegundo | ps | 0,000000000001 | Tempo de comutação do novo chip PoX |
| 1 femtossegundo | fs | 0,000000000000001 | Pulsos de laser ultrarrápidos |
| 1 attossegundo | as | 0,000000000000000001 | Observação do movimento de elétrons |
A escala demonstra como o avanço da memória PoX da Universidade de Fudan não é só um salto tecnológico, mas um marco no limite da física e da engenharia atual.
Estamos falando de operações ocorrendo em trilionésimos de segundo, o que abre portas para uma nova era de desempenho computacional.
PoX: a nova geração de chips de memória
O chip batizado de PoX (Phase-change Oxide) estabelece uma nova referência em memória não volátil. Diferentemente das tecnologias atuais como SSDs e pendrives — que operam em micro ou milissegundos — a PoX realiza operações milhares de vezes mais rápido, mantendo os dados mesmo quando o dispositivo está desligado.
Para efeito de comparação, memórias RAM como SRAM e DRAM, embora rápidas, perdem todos os dados quando há interrupção de energia. A PoX, por sua vez, combina velocidade de acesso extrema com persistência dos dados, o que a torna ideal para aplicações em inteligência artificial e computação de alto desempenho.
( fontes: adrenaline )
