Una promettente scoperta tecnologica è appena emersa dai laboratori dell’Università Fudan di Shanghai. I ricercatori guidati dal professor Zhou Peng hanno sviluppato la prima memoria Flash al mondo in grado di scrivere dati in soli 400 picosecondi, un tempo equivalente a un trilionesimo di secondo.
Si tratta di un’innovazione senza precedenti nel settore dell’archiviazione digitale, con il potenziale di trasformare le prestazioni dei dispositivi e dei sistemi che richiedono una risposta in tempo reale.
Confronto tra la velocità di scrittura delle memorie attuali e PoX (Università Fudan)
| Tecnologia de Memória | Tipo | Volátil? | Tempo Médio de Escrita | Velocidade Comparada à PoX |
|---|---|---|---|---|
| PoX (Fudan University) | Flash (nova geração) | Não | 400 picosegundos (0,0004 ns) | — |
| SRAM (Static RAM) | RAM | Sim | 1–2 nanosegundos | ~2.500x mais lenta |
| DRAM (Dynamic RAM) | RAM | Sim | 10–20 nanosegundos | ~25.000x mais lenta |
| SSD com NAND Flash | Flash tradicional | Não | 10–100 microsegundos | ~25.000.000x mais lenta |
| Pendrive / USB comum | Flash tradicional | Não | 0,5–2 milissegundos | ~1 bilhão de vezes mais lenta |
| Disco Rígido (HDD) | Magnético | Não | 5–15 milissegundos | ~37 bilhões de vezes mais lenta |
Quindi, cos’è un picosecondo?
Un picosecondo (ps) equivale a un trilionesimo di secondo o 0,000000000001 secondi (10⁻¹² s). Si tratta di una scala temporale talmente ridotta che le normali azioni umane o persino i rapidi processi elettronici sembrano estremamente lenti al confronto.
Per comprendere meglio quanto sia impressionante raggiungere una velocità di scrittura di 400 picosecondi, consulta la tabella sottostante che confronta il picosecondo con altre scale temporali che utilizziamo nella scienza e nella vita di tutti i giorni:
Tabella comparativa delle scale temporali
| Unidade de Tempo | Símbolo | Equivalência em Segundos | Exemplo de Ocorrência |
|---|---|---|---|
| 1 segundo | s | 1 | Batida do coração humano |
| 1 milissegundo | ms | 0,001 | Ping em rede local com cabo |
| 1 microssegundo | µs | 0,000001 | Tempo de acesso de memórias NAND |
| 1 nanossegundo | ns | 0,000000001 | Sinal eletrônico em CPUs modernas |
| 1 picossegundo | ps | 0,000000000001 | Tempo de comutação do novo chip PoX |
| 1 femtossegundo | fs | 0,000000000000001 | Pulsos de laser ultrarrápidos |
| 1 attossegundo | as | 0,000000000000000001 | Observação do movimento de elétrons |
La scala dimostra come la svolta nella memoria PoX dell’Università di Fudan non rappresenti solo un balzo in avanti tecnologico, ma una pietra miliare nell’avanguardia della fisica e dell’ingegneria attuali.
Stiamo parlando di operazioni che avvengono in trilionesimi di secondo, il che apre le porte a una nuova era nelle prestazioni di elaborazione.
PoX: la nuova generazione di chip di memoria
Il chip, denominato PoX (Phase-change Oxide), stabilisce un nuovo punto di riferimento nella memoria non volatile. A differenza delle tecnologie attuali, come SSD e unità flash USB, che operano in micro o millisecondi, PoX esegue le operazioni migliaia di volte più velocemente, conservando i dati anche quando il dispositivo è spento.
A scopo di confronto, le memorie RAM come SRAM e DRAM, sebbene veloci, perdono tutti i dati in caso di interruzione di corrente. PoX, a sua volta, unisce un’estrema velocità di accesso alla persistenza dei dati, il che lo rende ideale per applicazioni di intelligenza artificiale e di calcolo ad alte prestazioni.
( fontes: adrenaline )
