La Cina sviluppa la memoria flash più veloce al mondo con velocità di scrittura di soli 400 picosecondi

Una promettente scoperta tecnologica è appena emersa dai laboratori dell’Università Fudan di Shanghai. I ricercatori guidati dal professor Zhou Peng hanno sviluppato la prima memoria Flash al mondo in grado di scrivere dati in soli 400 picosecondi, un tempo equivalente a un trilionesimo di secondo.

Si tratta di un’innovazione senza precedenti nel settore dell’archiviazione digitale, con il potenziale di trasformare le prestazioni dei dispositivi e dei sistemi che richiedono una risposta in tempo reale.

Confronto tra la velocità di scrittura delle memorie attuali e PoX (Università Fudan)

Tecnologia de MemóriaTipoVolátil?Tempo Médio de EscritaVelocidade Comparada à PoX
PoX (Fudan University)Flash (nova geração)Não400 picosegundos (0,0004 ns)
SRAM (Static RAM)RAMSim1–2 nanosegundos~2.500x mais lenta
DRAM (Dynamic RAM)RAMSim10–20 nanosegundos~25.000x mais lenta
SSD com NAND FlashFlash tradicionalNão10–100 microsegundos~25.000.000x mais lenta
Pendrive / USB comumFlash tradicionalNão0,5–2 milissegundos~1 bilhão de vezes mais lenta
Disco Rígido (HDD)MagnéticoNão5–15 milissegundos~37 bilhões de vezes mais lenta
Reprodução/Xinhua

Quindi, cos’è un picosecondo?

Un picosecondo (ps) equivale a un trilionesimo di secondo o 0,000000000001 secondi (10⁻¹² s). Si tratta di una scala temporale talmente ridotta che le normali azioni umane o persino i rapidi processi elettronici sembrano estremamente lenti al confronto.

Per comprendere meglio quanto sia impressionante raggiungere una velocità di scrittura di 400 picosecondi, consulta la tabella sottostante che confronta il picosecondo con altre scale temporali che utilizziamo nella scienza e nella vita di tutti i giorni:

Tabella comparativa delle scale temporali

Unidade de TempoSímboloEquivalência em SegundosExemplo de Ocorrência
1 segundos1Batida do coração humano
1 milissegundoms0,001Ping em rede local com cabo
1 microssegundoµs0,000001Tempo de acesso de memórias NAND
1 nanossegundons0,000000001Sinal eletrônico em CPUs modernas
1 picossegundops0,000000000001Tempo de comutação do novo chip PoX
1 femtossegundofs0,000000000000001Pulsos de laser ultrarrápidos
1 attossegundoas0,000000000000000001Observação do movimento de elétrons

La scala dimostra come la svolta nella memoria PoX dell’Università di Fudan non rappresenti solo un balzo in avanti tecnologico, ma una pietra miliare nell’avanguardia della fisica e dell’ingegneria attuali.

Stiamo parlando di operazioni che avvengono in trilionesimi di secondo, il che apre le porte a una nuova era nelle prestazioni di elaborazione.

PoX: la nuova generazione di chip di memoria

Il chip, denominato PoX (Phase-change Oxide), stabilisce un nuovo punto di riferimento nella memoria non volatile. A differenza delle tecnologie attuali, come SSD e unità flash USB, che operano in micro o millisecondi, PoX esegue le operazioni migliaia di volte più velocemente, conservando i dati anche quando il dispositivo è spento.

A scopo di confronto, le memorie RAM come SRAM e DRAM, sebbene veloci, perdono tutti i dati in caso di interruzione di corrente. PoX, a sua volta, unisce un’estrema velocità di accesso alla persistenza dei dati, il che lo rende ideale per applicazioni di intelligenza artificiale e di calcolo ad alte prestazioni.

( fontes: adrenaline )